二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底
| 库存 | 20 片 |
|---|---|
| 品牌 | ACSMaterial 1*1'' 单层（多层可定制） |
| 产地 | 美国 |
| 产品编号 | 41005FACS1I |
| 数量 |
|
二氧化硅基底石墨烯（1*1'' 单层） Graphene on SiO2
表面电阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制备方法：
1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2）石墨烯从铜转移到硅衬底